SiC 고압 스위치

SiC 고압 스위치는 탄화규소 MOSFET로 구성되어 있습니다.전통적인 규소장효과트랜지스터의 고압스위치에 비해 도통시저항을 크게 낮출수 있고 스위치의 고유용량을 대폭 낮출수 있으며 더욱 높은 전환주파수와 더욱 좋은 열방출능력을 실현할수 있다.

• 전통적인 실리콘장 효과관 고압 스위치에 비해 도통 저항은 약 90% 대폭 감소할 수 있다
• 기존 실리콘장 효과관 고압 스위치에 비해 고유 용량은 약 30~50% 감소
• 정적 패스 손실 및 동적 스위칭 손실 대폭 감소
• 빠른 내생 다이오드는 대부분의 응용 하외접 보호 다이오드를 더 이상 필요로 하지 않게 한다
• 최대 전류 및 단락 처리 능력 향상