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350MHz의有源探针 GBB 모형 18C 및 19C

협상 가능업데이트12/26
모델
제조업체의 성격
생산자
제품 카테고리
원산지 Place of Origin
개요
350MHz 액티브 프로브GBBModel18Chowever,theunprotectedMOSinputineachprobetipissubjecttodestructionbyelectrostaticdischarge
제품 정보
350MHz의有源探针 GBB 모형 18C&19C
모델 18C와 모델 19C는 가장 진보된 MOS와 양극 기술을 특별하고 낮은 용량 포장 기술과 결합하여 진정으로 놀라운 전자 측정 능력을 달성합니다.제조 중에 각 계기는 가능한 최고의 성능을 위해 개별적으로 최적화됩니다.매우 낮은 입력 용량, 높은 입력 임피던스 및 거의 무시할 수 있는 입력 누출 전류는 가장 민감한 MOS 동적 노드조차도 직접 조사할 수 있습니다.동시에, 이 Picoprobe의 전체 DC 기능과 고속 기능이 결합되어 회로의 전체 특성을 허용합니다.
특징:
높은 입력 임피던스
낮은 입력 용량
DC ~ 350 MHz
모든 프로브 시스템을 가진 모든 micropositioner에 설치할 수 있습니다
10 마이크론 10 미크론 10 10 10 미크론 10 10 미크론 10 10 10 미크론 10 10 10 10 미크론 10 10 10 미크론 10 10 10 10 미크론 10 10 10 10 10 미크론 10 10 10 10 미크론회로와 접촉할 때 정밀한 프로브 와이어는 회회회로와 프로브 포인트의 손상을 최소화하기 위해 회회회회로와 프로브 포인트에 손상을 줄일 수 있습니다.또한 또한 또또한 또또또한 또또또한 또또한 또또또한 또또한 또또한 또한 또한 또또한 또한 또한 또한 또한 또또한 또또한 또또한 또또 또한 또또한 또 또모델 18C 및 모델 19C 프로브 모모모음은 각각 1 미크론 및 3 미크론 미만으로 모모두 20 미크론과 50 미크론 모델모델 50 미크론 모모델모델 모모델 모델 18C 및 모델 19C 프로브 모델
모델 18C와 모델 19C에 위치한 회로는 매우 견고합니다.그러나, 각 프로브 그러그러한 입력에 있는 보호되지 않은 MOS 입력은 정전방전으로 파괴될 수 있습니다. 프로브 끝이 손상되면 쉽게 제거하고 교체할 수 있습니다.

사양

모델 18C

모델 19C

입력 용량*

0.02pF의

0.02pF의

입력 누출

10 femtoamps를

10 femtoamps를

상승/가락 시간

1.2ns

1.2ns

주파수 응답

DC ~ 350 MHz

DC ~ 350 MHz

작동 범위

0에서 + 10V 범위 **

+ 3V ***에 -7

선형성

0.2% 5V 범위/2.0% 10V 범위

0.2% ± 3V 범위/2.0% -7에서 +3V 범위

이득 정확도

±5%

±5%

신호 감소

(높은 입력 임피던스 오실로스코프) 10에서 1
(50 오름 입력) 20에서 1

(높은 입력 임피던스 오실로스코프) 10에서 1
(50ohm 입력) 20에서 1

* 3ns 또는 더 긴 상승 및 떨어짐 신호를 위해.용량 취소 회로의 속도 제한은 1ns 또는 더 짧은 상승 또는 하락 입력에 대해 약 0.06pF 입력 용량을 초래합니다.

** 0V에서 +15V를 위해 아래 표에 있는 고전압 부품 번호를 참조하십시오.
*** -7V에서 +8V의 경우 아래 표에 있는 고전압 부품 번호를 사용하십시오.

Picoprobe 전원 공급장치를 사용해야 합니다.주문할 때 110V 또는 220V를 지정하십시오.